IXTA3N100D2 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal Depletion Mode Power MOSFET, 1000 V, 3 A, TO-263, IXTA3N100D2
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MOSFET, IXTA3N100D2, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Verarmungsmodus, der Vorteile wie hohe Leistungsdichte, einfache Montage und Platzersparnis bietet.
Features
- Normalerweise ON-Modus
- Internationales Standardgehäuse
- Formepoxide erfüllen die Entflammbarkeitsklasse UL 94 V-0
Anwendungen
- Audio-Verstärker
- Anfahrschaltungen
- Schutzschaltungen
- Rampengeneratoren
- Stromregler
- Aktive Lasten
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 6 Ω | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.75x10<sup>-8</sup> C | |
| Gehäuse | TO-263 | |
| max. Spannung | 1000 V | |
| max. Strom | 3 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Verlustleistung W (DC) | 125 W |
Download
Logistik
| Ursprungsland | KR |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
