IXBT2N250 | Littelfuse
IGBT, IXBT2N250
Bestellnr.: 74P0737
EAN: 4099891776022
HTN:
IXBT2N250
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IGBT, IXBT2N250, Littelfuse
BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Sättigungsspannung und des Durchlassspannungsabfalls der inneren Diode ideal für den Parallelbetrieb. Darüber hinaus dient diese "freie" intrinsische Body-Diode als Schutzdiode, die einen alternativen Pfad für den induktiven Laststrom bietet, wenn das Gerät ausgeschaltet ist, und verhindert, dass hohe Ldi/dt-Spannungstransienten das Gerät beschädigen.
Features
- Hohe Leistungsdichte
- Hochfrequenzbetrieb
- Geringe Leitungsverluste
- MOS-Gate für einfache Ansteuerung einschalten
- Einfach zu montieren
Anwendungen
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Laser- und Röntgenstrahlgeneratoren
- Kondensator-Entladeschaltungen
- Stromkreise für Hochspannungsimpulsgeber
- Hochspannungsprüfgeräte
- AC-Schalter
Technische Daten
| Ausführung | Einfach | |
| Gehäuse | TO-247-3 | |
| max. Spannung | 2500 V | |
| max. Strom | 5 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 3.8 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 32 W |
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Logistik
| Ursprungsland | PH |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
