IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 97 A, TO-220, IRFB4410ZPBF

Bestellnr.: 31S3234
EAN: 4099879034151
HTN:
IRFB4410ZPBF
SP001564008
Herstellerserien: IRFB
Infineon Technologies
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MOSFETs, IRFB4410ZPBF, Infineon Technologies

Features

  • Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
  • Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
  • Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Körperdioden

Anwendungen

  • Hohe Effizienz Synchrone Gleichrichtung in SMPS
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung
  • Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
  • Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen
Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 9 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC) 8.3x10<sup>-8</sup> C
Gehäuse TO-220
max. Spannung 100 V
max. Strom 97 A
max. Temperatur 175 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage THT
Verlustleistung W (DC) 230 W
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja
Varianten
Verlustleistung W (DC)
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Ausführung
Montage
max. Spannung
min. Temperatur
max. Temperatur
Gehäuse
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Verlustleistung W (DC)
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Ausführung
Montage
max. Spannung
min. Temperatur
max. Temperatur
Gehäuse
Hersteller-Nr.:
 IRFB4410ZPBF
1 Stk. 1,4161 €
100 Stk. 1,2614 €
1,4161 € - 1,2614 €
0 Stk.
80 Stk.
1,42 € *
230 W
97 A
9 mΩ
N-Kanal
THT
100 V
-55 °C
175 °C
TO-220
Hersteller-Nr.:
 IRFB4410PBF
800 Stk. 1,3923 €
1,3923 €
0 Stk.
1,39 € *
200 W
88 A
10 mΩ
N-Kanal
THT
100 V
-55 °C
175 °C
TO-220