IRF4905PBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies P-Kanal HEXFET Power MOSFET, -55 V, -74 A, TO-220, IRF4905PBF

Bestellnr.: 24S3604
EAN: 4099879033598
HTN:
IRF4905PBF
SP001571330
Herstellerserien: IRF
Infineon Technologies
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1 Stk.
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10 Stk.
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500 Stk.
1,3447 €
1000 Stk.
1,2376 €
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MOSFETs, IRF4905PBF, Infineon Technologies

Der IRF4905PBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht.

Features

  • Fortschrittliche Prozesstechnologie
  • Extrem niedriger Einschaltwiderstand
  • Dynamischer dv/dt-Wert
  • Schnelles Umschalten
  • P-Kanal

Anwendungen

  • DC-Motoren
  • Wechselrichter
  • Beleuchtung
  • Lastschalter
  • Batteriebetriebene Anwendungen
Technische Daten
Ausführung P-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 20 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.8x10<sup>-7</sup> C
Gehäuse TO-220
max. Spannung -55 V
max. Strom -74 A
max. Temperatur 175 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage THT
Verlustleistung W (DC) 200 W
Logistik
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Stange mit 50 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja
Varianten
Verlustleistung W (DC)
Montage
max. Strom
max. Temperatur
Gehäuse
Ausführung
max. Spannung
min. Temperatur
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
1 Artikel in 3 Varianten
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Verlustleistung W (DC)
Montage
max. Strom
max. Temperatur
Gehäuse
Ausführung
max. Spannung
min. Temperatur
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Hersteller-Nr.:
 IRF4905PBF
1 Stk. 2,5466 €
10 Stk. 1,8326 €
100 Stk. 1,5470 €
500 Stk. 1,3447 €
1000 Stk. 1,2376 €
2,5466 € - 1,2376 €
3 Stk.
10.890 Stk.
2,55 € *
200 W
THT
-74 A
175 °C
TO-220
P-Kanal
-55 V
-55 °C
20 mΩ
Hersteller-Nr.:
 IRF4905STRRPBF
800 Stk. 1,3328 €
1,3328 €
0 Stk.
1,33 € *
170 W
SMD
-42 A
150 °C
TO-252-3
P-Kanal
-55 V
-55 °C
20 mΩ
Hersteller-Nr.:
 IRF4905LPBF
500 Stk. 1,5946 €
1,5946 €
0 Stk.
1,59 € *
3.8 W
THT
-42 A
150 °C
TO-262
P-Kanal
-55 V
-55 °C
20 mΩ