BCR533E6327HTSA1 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 500 mA, 50 V, SMD, SOT-23, BCR533E6327HTSA1
Abgekündigt
Bipolartransistor, BCR533E6327HTSA1, Infineon Technologies
Features
- Eingebauter Vorspannungswiderstand
- Niedrige Stromverstärkung
- Hohe Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Schaltkreis
- Wechselrichter
- Interface-Schaltung
- Treiberschaltung
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | SOT-23 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 50 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | SMD | |
Nennstrom | 500 mA | |
Sättigungsspannung | 300 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.33 W | |
Kollektorstrom | 500 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 70 mA |
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |