BSS123W-7-F | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, SOT-323, BSS123W-7-F
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MOSFET, BSS123W-7-F, Diodes
Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht.
Features
- Niedrige Gate-Schwellenwertspannung
- Niedrige Eingangskapazität
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 6 Ω | |
| Gehäuse | SOT-323 | |
| max. Spannung | 100 V | |
| max. Strom | 170 mA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Verlustleistung W (DC) | 200 mW |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
