FZT857TA | Diodes
Bipolartransistor, NPN, 3.5 A, 300 V, SMD, SOT-223, FZT857TA
NPN-Transistor, FZT857TA, DIODES
NPN-Transistor mittlerer Leistung im SOT223-Gehäuse.
Features
- Halogen- und antimonfrei
- RoHS-konform
- Qualifiziert nach AEC-Q101-Normen für hohe Zuverlässigkeit
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | SOT-223 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 350 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 300 V | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Nennstrom | 3.5 A | |
Sättigungsspannung | 345 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 80 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 3 W | |
Kollektorstrom | 3.5 A | |
Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 100 mA |
Ursprungsland | QU |
Zolltarifnummer | 85412900 |
MSL | MSL 1 |
Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |