BDW83C | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 15 A, 100 V, THT, TO-3PN, BDW83C
NPN-Leistungstransistor, BDW83C, COMSET
Dieser monolithische NPN-Leistungs-Darlington-Transistor auf Silizium-Epitaxie-Basis ist in einem Jedec TO3PN-Plastikgehäuse untergebracht. Er ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | TO-3PN | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 15 A | |
Sättigungsspannung | 2.5 V | |
Transitfrequenz fTmin | 1 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 150 W | |
Kollektorstrom | 15 A |
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |