2N1711 | CDIL
Bipolartransistor, NPN, 50 V, THT, TO-39, 2N1711
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NPN-Transistor, 2N1711, CDIL
Dieser NPN-Silizium-Planar-Epitaxie-Transistor wird als Allzwecktransistor verwendet.
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-39 | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 75 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 50 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 500 mA | |
| Sättigungsspannung | 500 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 70 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.8 W | |
| Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA |
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Logistik
| Ursprungsland | IN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
