PTVS1-086C-H | Bourns Electronics GmbH
SMD TVS Diode, Bidirektional, 99 V, DFN, PTVS1-086C-H
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Hochstrom-TVS-Diode, PTVS1-086C-H, Bourns Electronics GmbH
Die Hochstrom-TVS-Diode wurde zum Schutz von DC- oder PoE-gespeisten Systemen wie Small Cells oder Überwachungskameras entwickelt, die hohen Überspannungen wie induzierten Blitzen oder induktiven Stromschaltungen ausgesetzt sein können.
Features
- Bidirektionales TVS
- Niedrige Klemmspannung bei Überspannung
- Hervorragende Leistung bei verschiedenen Temperaturen
Anwendungen
- Schutz vor Blitzeinschlägen, induktiven und transienten Überspannungen bis zu den Nennwerten
- Freiliegende PoE-Anschlüsse
- Kleinzelle, Remote Radio Units (RRUs) und Baseband Units (BBUs)
- Schutz des DC-Busses mit hoher Leistung
Technische Daten
| Anzahl der Dioden | 1 | |
| Ausführung | Bidirektional | |
| Durchbruchspannung | 105 V | |
| Gehäuse | DFN | |
| Kapazität | 0.5 nF | |
| max. Temperatur | 125 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sperrspannung | 99 V |
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Logistik
| Ursprungsland | PH |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| MSL | MSL 1 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Nein |
| Substanz Beschreibung | Blei |
