Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
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Artikelbeschreibung
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max. Spannung
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Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
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max. Temperatur
Infineon Technologies N-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, 60 V, 0.23 A, SOT-23, BSS138N
Bestellnr.:
 17S8698
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 BSS138N
Sofort verfügbar: 14.595 Stk. Ab Hersteller: 42 Wochen ** Nächste Lieferung: 3.000 Stk. bestätigt für 04.10.2024
Gesamtpreis: 0,23 € *
1 Stk.
0,2321 €
10 Stk.
0,1452 €
50 Stk.
0,1047 €
250 Stk.
0,0869 €
1000 Stk.
0,0750 €
N-Kanal
60 V
0.23 A
3.5 Ω
SOT-23
0.36 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 3.3 A, TO-220, IRF610-T
Bestellnr.:
 24S3256
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRF610-T
Sofort verfügbar: 25 Stk. Ab Hersteller: Auf Anfrage **
Gesamtpreis: 2,02 € *
1 Stk.
2,0230 €
50 Stk.
1,7731 €
100 Stk.
1,5708 €
250 Stk.
1,4161 €
500 Stk.
1,2852 €
N-Kanal
100 V
3.3 A
1.5 Ω
TO-220
36 W
THT
-55 °C
175 °C