Gehäuse
Ausführung
Montage
max. Spannung
max. Strom
max. Temperatur
min. Temperatur
Verlustleistung VA (AC)
Sättigungsspannung
Anwendung
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Anzahl der Kanäle
Nennstrom
Kollektorstrom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Durchlassspannung
Ausgewählte Filter:
Hersteller: Infineon Technologies  
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Gehäuse
Ausführung
Montage
max. Spannung
max. Strom
max. Temperatur
min. Temperatur
Verlustleistung VA (AC)
Sättigungsspannung
Anwendung
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Anzahl der Kanäle
Nennstrom
Kollektorstrom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Durchlassspannung
Infineon Technologies P-Kanal HEXFET Power MOSFET, -100 V, -14 A, TO-220, IRF9530NPBF
Bestellnr.:
 24S3275
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRF9530NPBF
Sofort verfügbar: 2.059 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 2.090 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 1,13 € *
1 Stk.
1,1305 €
10 Stk.
0,8092 €
100 Stk.
0,6902 €
500 Stk.
0,5831 €
1000 Stk.
0,5355 €
TO-220
P-Kanal
THT
-100 V
-14 A
175 °C
-55 °C
200 mΩ
Infineon Technologies P-Kanal HEXFET Power MOSFET, -55 V, -31 A, TO-220, IRF5305PBF
Bestellnr.:
 24S3250
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRF5305PBF
Sofort verfügbar: 480 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 3.880 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 1,30 € *
1 Stk.
1,2971 €
10 Stk.
0,9282 €
100 Stk.
0,7973 €
500 Stk.
0,6902 €
1000 Stk.
0,6307 €
TO-220
P-Kanal
THT
-55 V
-31 A
175 °C
-55 °C
60 mΩ