IRF1310NPBF | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 42 A, TO-220, IRF1310NPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 31S2062
Price: 1.40 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 42 A, TO-220, IRF1310NPBF

Bestellnr.: 31S2062

EAN: 4099879033956

HTN:

IRF1310NPBF

SP001553864

Herstellerserien: NFET_IRFXXX

Abbildung kann abweichen

Drucken

Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 100 V

max. Strom 42 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 36 mΩ

Download Datenblatt Technische Daten

Einzelpreis (€ / Stk.)

1,4042 € *

Lagerbestand: 0 Stk.

Verfügbar in 5 Tagen: 100 Stk.

Lieferzeit ab Hersteller: 1 Woche **

In den Warenkorb

Gesamtpreis:

1,40 € *

Preisstaffel

Anzahl

Preis pro Einheit*

10 Stk.

1,4042 €

20 Stk.

1,2019 €

50 Stk.

1,0472 €

*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

**Zwischenverkauf vorbehalten

Produktbeschreibung

MOSFETs, IRF1310NPBF, Infineon Technologies

Der IRF1310NPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht. Der geringe Wärmewiderstand des TO-220 trägt zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.

Features

Fortschrittliche Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
Dynamischer dv/dt-Wert
Schnelles Umschalten
Lawine bewertet

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	36 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	1.1x10<sup>-7</sup> C
	Gehäuse	TO-220
	max. Spannung	100 V
	max. Strom	42 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	THT
	Verlustleistung W (DC)	160 W