FDMS004N08C | onsemi

Name: onsemi N-Kanal Shielded Gate Trench MOSFET, 80 V, 126 A, SO-8-FL/Power56, FDMS004N08C
Brand: onsemi
SKU: 54S1021
Price: 1.31 EUR
Availability: InStock

onsemi N-Kanal Shielded Gate Trench MOSFET, 80 V, 126 A, SO-8-FL/Power56, FDMS004N08C

Bestellnr.: 54S1021

EAN: 4099879034786

HTN:

FDMS004N08C

Herstellerserien: FDMS00

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 80 V

max. Strom 126 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 4 mΩ

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Produktbeschreibung

N-Kanal-MOSFET, FDMS004N08C, ON Semiconductor

Features

MOSFET-Technologie mit abgeschirmtem Gate
MAX RDSon = 4.0 mOhm @ VGS=10V, ID=44A
50% geringere Qrr als andere MOSFET-Anbieter
Geringeres Schaltgeräusch/EMI
MSL 1 Robustes Verpackungsdesign
100% UIL-getestet
RoHS-Kompatibel

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	4 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	2.5x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	SO-8-FL/Power56
	max. Spannung	80 V
	max. Strom	126 A
	max. Temperatur	150 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD
	Verlustleistung W (DC)	125 W