FP40R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies
IGBT PIM Mod.3ph.55A 2,3V 200W FP40R12KE3BOSA1
Bestellnr.: 17S7434
EAN: 4099879035660
HTN:
FP40R12KE3BOSA1
IGBTModule NCH 1200V 55A 210W 24Pin ECONO2-5 Tray
Herstellerserien: FP40R
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IGBT-Transistor, FP40R12KE3BOSA1, NXP
Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein Leistungshalbleiter mit drei Anschlüssen, der sich durch hohe Effizienz und schnelles Schalten auszeichnet. Der IGBT kombiniert die einfachen Gate-Ansteuerungseigenschaften der MOSFETs mit der Hochstrom- und Niedrig-Sättigungsspannungsfähigkeit von Bipolartransistoren, indem er einen isolierten Gate-FET für den Steuereingang und einen bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Bauelement kombiniert.
Technische Daten
| Anwendung | Energiemanagement/Medizin | |
| Ausführung | Dreiphasiger Wechselrichter | |
| max. Spannung | 1200 V | |
| max. Strom | 55 A | |
| max. Temperatur | 125 °C |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Tray mit 10 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
