ZXMN3A01FTA | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 30 V, 2 A, TO-236, ZXMN3A01FTA
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MOSFET, ZXMN3A01FTA, Diodes
Dieser MOSFET der neuen Generation wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet.
Features
- Niedriger On-Widerstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Niedriger Schwellenwert
- Niedriger Gate-Antrieb
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 120 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.9x10<sup>-9</sup> C | |
Gehäuse | TO-236 | |
max. Spannung | 30 V | |
max. Strom | 2 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD |
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Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
SVHC frei | Ja |