BDV67B | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 16 A, 100 V, THT, TO-3P, BDV67B
Bestellnr.: 15S5018
EAN: 4099879028532
HTN:
BDV67B
Einzelpreis (€ / Stk.)
8,7108 € *
Sofort verfügbar: 5 Stk.
Lieferzeit ab Hersteller: 6 Wochen **
Gesamtpreis:
8,71 € *
Preisstaffel
Anzahl
Preis pro Einheit*
1 Stk.
8,7108 €
10 Stk.
6,2237 €
25 Stk.
5,3193 €
50 Stk.
4,6291 €
100 Stk.
4,2126 €
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
NPN-Leistungstransistor, BDV67B, COMSET
Dies ist ein Silizium-Epitaxie-Basistransistor im TO-3PN-Gehäuse. Er ist für Audio-Ausgangsstufen und allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-3P | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 120 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 16 A | |
| Sättigungsspannung | 2 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 200 W | |
| Kollektorstrom | 16 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 1000 mA |
Download
Logistik
| Ursprungsland | MY |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 25 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
