FP40R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies

IGBT PIM Mod.3ph.55A 2,3V 200W FP40R12KE3BOSA1

Bestellnr.: 17S7434
EAN: 4099879035660
HTN:
FP40R12KE3BOSA1
IGBTModule NCH 1200V 55A 210W 24Pin ECONO2-5 Tray
Herstellerserien: FP40R
Infineon Technologies
FP40R12KE3BOSA1 Infineon Technologies Powermodule (PIM, IPM)
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IGBT-Transistor, FP40R12KE3BOSA1, NXP

Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein Leistungshalbleiter mit drei Anschlüssen, der sich durch hohe Effizienz und schnelles Schalten auszeichnet. Der IGBT kombiniert die einfachen Gate-Ansteuerungseigenschaften der MOSFETs mit der Hochstrom- und Niedrig-Sättigungsspannungsfähigkeit von Bipolartransistoren, indem er einen isolierten Gate-FET für den Steuereingang und einen bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Bauelement kombiniert.

Technische Daten
Anwendung Energiemanagement/Medizin
Ausführung Dreiphasiger Wechselrichter
max. Spannung 1200 V
max. Strom 55 A
max. Temperatur 125 °C
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Tray mit 10 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja