IRF520NSTRLPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 9.7 A, TO-252-3, IRF520NSTRLPBF
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,6307 € *
Lagerbestand: 0 Stk.
Lieferzeit ab Hersteller: Auf Anfrage **
Gesamtpreis:
0,63 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
800 Stk.
0,6307 €
MOSFETs, IRF520NSTRLPBF, Infineon Technologies
Der IRF520NSTRLPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht. Er bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand in einem vorhandenen oberflächenmontierten Gehäuse.
Features
- Fortschrittliche Prozesstechnologie
- Oberfläche montiert
- Schnelles Umschalten
Anwendungen
- DC-Motoren
- Wechselrichter
- SMPS
- Beleuchtung
- Lastschalter
- Batteriebetriebene Anwendungen
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 200 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.5x10<sup>-8</sup> C | |
| Gehäuse | TO-252-3 | |
| max. Spannung | 100 V | |
| max. Strom | 9.7 A | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Verlustleistung W (DC) | 48 W |
Download
Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 1 |
| Originalverpackung | Rolle mit 800 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
