BSS123-7-F | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, TO-236, BSS123-7-F
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Kleinsignal-MOSFET NFET en N-Kanal-Anreicherungstyp Reihe BSP../BSS.
Technische Merkmale (Typ, Spannung (UDS), Strom (ID), Gehäuse, Hersteller): BSS123, 100 V, 170 mA, SOT23, Diodes
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 6 Ω | |
Gehäuse | TO-236 | |
max. Spannung | 100 V | |
max. Strom | 170 mA | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Verlustleistung W (DC) | 300 mW |
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Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |