FMMT558TA | Diodes

Bipolartransistor, PNP, -150 mA, -400 V, SMD, SOT-23, FMMT558TA

Bestellnr.: 33S1025
EAN: 4099879031174
HTN:
FMMT558TA
Diodes
FMMT558TA Diodes Bipolar Transistoren
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PNP-Transistor, FMMT558TA, DIODES

PNP-Hochspannungstransistor im SOT23-Gehäuse.

Technische Daten
Ausführung PNP
Gehäuse SOT-23
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo -400 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo -400 V
min. Temperatur -55 °C
Montage SMD
Sättigungsspannung -500 mV
Transitfrequenz fTmin 50 MHz
Verlustleistung VA (AC) 0.5 W
Kollektorstrom -150 mA
Max Gleichstromverstärkung 300 mA
Min Gleichstromverstärkung 100 mA
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 08.06.11
SVHC frei Ja