IS61WV25616BLL-10TLI | Integrated Silicon Solution INC

DRAM 4 Mbit, TSOP-44, IS61WV25616BLL-10TLI

Bestellnr.: 53S7020
EAN: 4099879150790
HTN:
IS61WV25616BLL-10TLI
Integrated Silicon Solution INC
IS61WV25616BLL-10TLI Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs
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CMOS statisches RAM, IS61WV25616BLL-10TLI, ISSI

Der IS61WV25616BLL-10TLIist ein statischer Hochgeschwindigkeits-RAM mit 4.194.304 Bit, der als 262.144 Worte mit 16 Bit organisiert ist. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsentwurfstechniken führt zu leistungsstarken Geräten mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE hoch ist (abgewählt), geht der Baustein in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung der Chip-Enable- und Output-Enable-Eingänge CE und OE möglich. Die aktive Low-Schreibfreigabe (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB).

Features

  • Vollkommen statischer Betrieb: kein Takt oder Refresh erforderlich
  • Drei Statusausgänge
  • Temperaturunterstützung für Industrie und Automotive
Technische Daten
Gehäuse TSOP-44
max. Temperatur 85 °C
min. Temperatur -40 °C
Montage SMD
Spannung 2,4-3,6 V
Speichergröße 4 Mbit
Technologie DRAM
Zugriffszeit 10 s
Logistik
Zolltarifnummer 85423231
MSL MSL 3
Originalverpackung Tray mit 135 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja