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TVS-DIODE PTVS3V3S1UTR,115

  • Impuls-Verlustleistung: 400 W
  • Nenn-Sperrspannung: 3,3 V
  • Gehäuse: SOD123W
 
Bestell-Nr. 26 S 125
Herstellername NXP
Hersteller-Nr. PTVS3V3S1UTR,115
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Technische Merkmale

400 W
3,3 V
SOD123W
SMD
5,2 V
6 V
-55 °C
185 °C
AEC-Q101 qualifiziert

Herstellerinformationen

Herstellername NXP
Herstellerartikelnummer PTVS3V3S1UTR,115
Zolltarifnummer 85411000
Die oben dargestellte Abbildung kann abweichen
AEC-Q101 qualifiziert, Ausführung: unidirektional, Bauform: SMD, Impuls-Spitzenverlustleistung: 400 W, Nennspannung: 3,3 V, Durchbruchsspannung (min.): 5,2 V, Durchbruchsspannung (max.): 6,0 V, Umgebungstemperatur (min.): -55 °C, Umgebungstemperatur (max.): 185 °C, Gehäuse: SOD123W, Typ: PTVS3V3S1UTR,115, Hersteller: NXP
  • Konformitäten

    RoHS konform (08.06.2011)
    REACH nicht relevant
    PAK keine Angaben
    PFOS keine Angaben
    SVHC frei (Datum nicht verfügbar)