TIP111G | onsemi

Bipolartransistor, NPN, 2 A, 80 V, THT, TO-220, TIP111G

Bestellnr.: 25S3019
EAN: 4099879029805
HTN:
TIP111G
Herstellerserien: TIP
onsemi
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25 Stk.
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150 Stk.
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500 Stk.
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1000 Stk.
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*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten

Transistor, TIP111G, ON Semiconductor

Er wurde für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen mit niedriger Geschwindigkeit entwickelt.

Features

  • Monolithische Konstruktion
Technische Daten
Ausführung NPN
Gehäuse TO-220
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 80 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 80 V
min. Temperatur -65 °C
Montage THT
Nennstrom 2 A
Sättigungsspannung 2.5 V
Transitfrequenz fTmin 4 MHz
Verlustleistung VA (AC) 50 W
Kollektorstrom 2 A
Min Gleichstromverstärkung 500 mA
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Stange mit 50 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Nein
Substanz Beschreibung Blei
Varianten
Verlustleistung VA (AC)
Kollektorstrom
Sättigungsspannung
Nennstrom
Gehäuse
Ausführung
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
1 Artikel in 4 Varianten
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Verlustleistung VA (AC)
Kollektorstrom
Sättigungsspannung
Nennstrom
Gehäuse
Ausführung
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
Bipolartransistor, NPN, 2 A, 80 V, THT, TO-220, TIP111G
Bestellnr.:
 25S3019
Hersteller:
 onsemi
Hersteller-Nr.:
 TIP111G
Sofort verfügbar: 12 Stk. Ab Hersteller: 14 Wochen **
Gesamtpreis: 2,50 € *
5 Stk.
0,4998 €
25 Stk.
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150 Stk.
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500 Stk.
0,4046 €
1000 Stk.
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50 W
2 A
2.5 V
2 A
TO-220
NPN
THT
-65 °C
150 °C