BD139G | onsemi
Bipolartransistor, NPN, 1.5 A, 80 V, THT, TO-225AA, BD139G
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Transistor, BD139G, ON Semiconductor
Der BD139G ist ein NPN-Kunststoff-Siliziumtransistor mittlerer Leistung, der für den Einsatz als Audioverstärker und -treiber unter Verwendung komplementärer oder quasi-komplementärer Schaltungen vorgesehen ist.
Features
- Hohe DC-Stromverstärkung
- BD 135, 137, 139 sind komplementär zu BD 136, 138, 140
- Diese Geräte sind Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-225AA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 80 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 80 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Sättigungsspannung | 500 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 50 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 12.5 W | |
| Kollektorstrom | 1.5 A | |
| Max Gleichstromverstärkung | 250 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 40 mA |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
