BCP68T1G | onsemi
Bipolartransistor, NPN, 1 A, 25 V, SMD, SOT-23, BCP68T1G
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NPN-Transistor, BCP68T1G, onsemi
Dieser NPN-Silizium-Epitaxie-Transistor ist für den Einsatz in Niederspannungs- und Hochstromanwendungen vorgesehen. Der Baustein ist im SOT-223-Gehäuse untergebracht, das für oberflächenmontierte Anwendungen mit mittlerer Leistung ausgelegt ist.
Features
- Halogenfrei
- RoHS-konform
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 20 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 25 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 500 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 60 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1.5 W | |
| Kollektorstrom | 1 A | |
| Max Gleichstromverstärkung | 375 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 85 mA |
Download
Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| SVHC frei | Ja |
