MLZ2012A1R0WT000 | TDK
Drossel, SMD 0805, 1 µH, 900 mA, MLZ2012A1R0WT000
Nicht geeignet für Neudesigns
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SMD-Induktivität, MLZ2012A1R0WT, TDK
Der MLZ2012A1R0WT ist ein oberflächenmontierter Typ, der als Energiespeicher in Schaltnetzteilen eingesetzt wird und Gleichstrom erzeugt.
Features
- Die MLZ2012A1R0WT umfassen Induktivitäten für Entkopplungsschaltungen, die bisp-Klasse DC Überlagerungseigenschaften und niedrigen DC Widerstand haben
- Sie sind mit einem breiten Frequenzband kompatibel, von niedrigen bis hohen Frequenzen
- Produkte des Typs H haben einen Nennstrom, der bis zu dem von gewickelten Spulen gleichwertig ist
- Produkte des Typs TW sind die neuen Standardprodukte, die sowohl einen hohen Strom als auch einen geringen Widerstand aufweisen.
- Produkte des Typs L haben einen bis zu 60% geringeren Widerstand als Produkte des Typs W
- Betriebstemperaturbereich: -55 bis +125 °C (einschließlich Eigenerwärmung)
Anwendungen
- Smartphones, Tablet-Terminals, Notebook-PCs, verschiedene Module wie Kameramodule, DSCs, Videospiele, tragbare Audio-Speichergeräte, Navigationssysteme, PNDs, WLANs, SSDs
Technische Daten
| Ausführung | SMD-Drossel | |
| Bauform | SMD 0805 | |
| Breite | 1.25 mm | |
| Gleichstrom | 900 mA | |
| Gleichstromwiderstand | 100 mΩ | |
| Höhe | 0.85 mm | |
| Induktivität | 1 µH | |
| Länge | 2 mm | |
| Messfrequenz | 160 MHz | |
| Sättigungsstrom | 280 mA | |
| Toleranz | ±20 % |
Download
Logistik
| Ursprungsland | JP |
| Zolltarifnummer | 85045000 |
| Originalverpackung | Rolle mit 4.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
