Der SFH610A-3 zeichnet sich durch ein hohes Stromübertragungsverhältnis, eine geringe Kopplungskapazität und eine hohe Isolationsspannung aus. Dieses Produkt verfügt über einen GaAs-Infrarotdioden-Emitter, der optisch mit einem Silizium-Planar-Fototransistor-Detektor gekoppelt ist, und ist in einem DIP-4- oder SMD-Kunststoffgehäuse untergebracht. Der Koppelbaustein ist für die Signalübertragung zwischen zwei elektrisch getrennten Schaltkreisen konzipiert.
Features
Anstiegszeit | 2 s | |
Anzahl der Kanäle | 1 | |
Ausgangsstrom | 50 mA | |
Gehäuse | DIP-4 | |
Isolationsspannung | 5.3 kV | |
max. Temperatur | 100 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | THT | |
Abfallzeit | 2 s |
Ursprungsland | MY |
Zolltarifnummer | 85414900 |
Originalverpackung | Stange mit 100 Stück |
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |
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