SIJ438DP-T1-GE3 | Vishay
Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 40 V, 80 A, PowerPAK SO-8L, SIJ438DP-T1-GE3
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N-Kanal-MOSFET, SIJ438DP-T1-GE3, Vishay
Features
- Abgestimmt auf den niedrigsten RDS-Qoss FOM
- 100 % Rg und UIS getestet
- Qgd / Qgs-Verhältnis < 1 optimiert das Schaltverhalten
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1.35 mΩ | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 1.75 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.21x10<sup>-7</sup> C | |
| Gehäuse | PowerPAK SO-8L | |
| max. Spannung | 40 V | |
| max. Strom | 80 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Verlustleistung W (DC) | 69.4 W |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 3 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
