PNP-Transistor in einem kleinen oberflächenmontierten SOT23-Kunststoffgehäuse (SMD).
Features
Anwendungen
Ausführung | PNP | |
Gehäuse | SOT-23 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -300 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -300 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | SMD | |
Sättigungsspannung | -800 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 60 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.25 W | |
Kollektorstrom | -50 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 50 mA |
Ursprungsland | HK |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |
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