BC847CE6327 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 45 V, SMD, SOT-23, BC847CE6327
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Bipolartransistor, BC847CE6327, Infineon Technologies
Features
- Hohe Stromverstärkung
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Geräuscharm
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Für AF-Eingangsstufen und Treiberanwendungen
Technische Daten
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | SOT-23 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 45 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | SMD | |
Nennstrom | 100 mA | |
Sättigungsspannung | 200 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 250 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.33 W | |
Kollektorstrom | 100 mA | |
Max Gleichstromverstärkung | 800 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 420 mA |
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Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |