NPN-Silizium-Epitaxie-Planartransistor für Schalt- und NF-Verstärkeranwendungen.
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | TO-92 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 45 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 100 mA | |
Sättigungsspannung | 250 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.5 W | |
Kollektorstrom | 100 mA | |
Max Gleichstromverstärkung | 450 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 200 mA |
Ursprungsland | IN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |
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