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Der STP3NK80Z ist ein 800V N-Kanal Zener-geschützter Power-MOSFET, der unter Verwendung der SuperMESH™ Technologie entwickelt wurde, was durch die Optimierung des gut etablierten streifenbasierten PowerMESH™ Layouts erreicht wurde. Neben der deutlichen Verringerung des Durchlasswiderstandes wird besonders darauf geachtet, dass eine sehr gute dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet ist. Verbesserte Gate-Ladung und geringere Verlustleistung, um den heutigen anspruchsvollen Effizienzanforderungen gerecht zu werden.
Features
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 4.5 Ω | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 1x10<sup>-8</sup> C | |
Gehäuse | TO-220 | |
max. Spannung | 800 V | |
max. Strom | 2.5 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | THT | |
Verlustleistung W (DC) | 70 W |
Zolltarifnummer | 85412900 |
MSL | MSL 1 |
Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |
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