Abgekündigt
Die BAS16E6327 ist eine Siliziumschaltdiode für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen.
Features
Anzahl der Dioden | 1 | |
Ausführung | einfach | |
Durchbruchspannung | 85 V | |
Gehäuse | SOT-23 | |
Impuls-Verlustleistung | 370 mW | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | SMD |
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85411000 |
Originalverpackung | Rolle mit 45.000 Stück |
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |
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