BPW17N | Vishay
Phototransistor Chip Silicon 825nm T-3/4 BPW17N
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Fototransistor, BPW17N, Vishay
BPW17N ist ein Silizium-NPN-Fototransistor mit hoher Strahlungsempfindlichkeit in klarem, T-3/4-Plastikgehäuse mit Linse. Er ist empfindlich für sichtbare und nahinfrarote Strahlung. Auf PCB ermöglicht diese Gehäusegröße die Montage von Arrays mit einem Rastermaß von 2,54 mm.
Features
- NPN-Fototransistor aus bedrahtetem Silizium in klarem T-3/4-Kunststoffgehäuse mit Linse
- Hohe Lichtempfindlichkeit und hohe Strahlungsempfindlichkeit
- Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung
Technische Daten
| Gehäuse | T-3/4 | |
| max. Temperatur | 100 °C | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| Montage | THT | |
| Spannung | 32 V |
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Logistik
| Ursprungsland | PH |
| Originalverpackung | Bulk mit 1.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
