SIR870ADP-T1-GE3 | Vishay

Name: Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 100 V, 60 A, SOIC-8, SIR870ADP-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 24S8214
Price: 1.79 EUR
Availability: OutOfStock

Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 100 V, 60 A, SOIC-8, SIR870ADP-T1-GE3

Bestellnr.: 24S8214

EAN: 4099879033673

HTN:

SIR870ADP-T1-GE3

Herstellerserien: SI

Abbildung kann abweichen

Drucken

Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 100 V

max. Strom 60 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 6.3 mΩ

Download Datenblatt Technische Daten

Einzelpreis (€ / Stk.)

1,7850 € *

Lagerbestand: 0 Stk.

Lieferzeit ab Hersteller: Auf Anfrage **

In den Warenkorb

Gesamtpreis:

1,79 € *

*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

**Zwischenverkauf vorbehalten

Produktbeschreibung

N-Channel MOSFETs Typ Vishay Siliconix Si.

Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDSON), Strom ID (TC = 25°C), Gate-Ladung Qg, Gehäuse): SiR870ADP, 100 V, 6,6 mOhm, 60 A, 25,5 nC, PowerPAK SO-8

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	6.3 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	8x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	SOIC-8
	max. Spannung	100 V
	max. Strom	60 A
	max. Temperatur	150 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD
	Verlustleistung W (DC)	104 W