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Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(on)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet.
Features
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 700 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.9x10<sup>-9</sup> C | |
Gehäuse | TO-236 | |
max. Spannung | 100 V | |
max. Strom | 700 mA | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Verlustleistung W (DC) | 809 mW |
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
RoHS konform | Ja |
SVHC frei | Ja |
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