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ZXMN10A07FTA | Diodes

Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 700 mA, TO-236, ZXMN10A07FTA

Bestellnr.:  33S2834
HTN:
ZXMN10A07FTA
Herstellerserien:  ZXMN
EAN: 4099879034496
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Produktbeschreibung

MOSFET, ZXMN10A07FTA, Diodes

Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(on)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet.

Features

  • Niedriger Ein-Widerstand
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit
  • Niedrige Schwelle
  • Niedrige Gate-Ansteuerung
Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 700 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC) 2.9x10<sup>-9</sup> C
Gehäuse TO-236
max. Spannung 100 V
max. Strom 700 mA
max. Temperatur 150 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage SMD
Verlustleistung W (DC) 809 mW
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Logistik
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja