BC807-16LT1G | onsemi
Bipolartransistor, PNP, -500 mA, -45 V, SMD, SOT-23, BC807-16LT1G
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PNP-Transistor, BC807-16LT1G, onsemi
Dieser PNP-Bipolartransistor ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Anwendungen vorgesehen. Der Baustein ist im SOT-23-Gehäuse untergebracht, das für oberflächenmontierte Anwendungen mit geringerem Stromverbrauch ausgelegt ist.
Anwendungen
- Verpolungsschutz
- Induktiver Lastschutz
- Überspannungsschutz
Technische Daten
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -50 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -45 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Nennstrom | 500 mA | |
| Sättigungsspannung | -700 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.225 W | |
| Kollektorstrom | -500 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 250 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
