Infineon Technologies

BC848CE6327HTSA1 | Infineon Technologies

Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 30 V, SMD, SOT-23, BC848CE6327HTSA1

Bestellnr.:  12S6273
HTN:
BC848CE6327HTSA1
Herstellerserien:  BC848
EAN: 4099879027283
Infineon Technologies
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Produktbeschreibung

Bipolartransistor, BC848CE6327HTSA1, Infineon Technologies

Features

  • Hohe Stromverstärkung
  • Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
  • Geräuscharm
  • Pb-frei und RoHs-konform

Anwendungen

  • Für AF-Eingangsstufen und Treiberanwendungen
Technische Daten
Ausführung NPN
Gehäuse SOT-23
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 30 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 30 V
min. Temperatur -65 °C
Montage SMD
Nennstrom 100 mA
Sättigungsspannung 600 mV
Transitfrequenz fTmin 250 MHz
Verlustleistung VA (AC) 0.33 W
Kollektorstrom 100 mA
Max Gleichstromverstärkung 800 mA
Min Gleichstromverstärkung 420 mA
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Logistik
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 1 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja
Varianten
Suchergebnisse 1 Artikel in 2 Varianten
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Verfügbarkeit
Verlustleistung VA (AC)
Ausführung
Kollektorstrom
Sättigungsspannung
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
Nennstrom
Gehäuse
Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 30 V, SMD, SOT-23, BC848CE6327HTSA1
Bestellnr.:
 12S6273
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 BC848CE6327HTSA1
Gesamtpreis: 3,72 € *
25 Stk.
0,1488 €
125 Stk.
0,1107 €
500 Stk.
0,0881 €
3000 Stk.
0,0726 €
6000 Stk.
0,0655 €
Sofort verfügbar: 50 Stk.
Ab Hersteller: Auf Anfrage **
0.33 W
NPN
100 mA
600 mV
SMD
-65 °C
150 °C
100 mA
SOT-23
Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 45 V, SMD, SOT-23, BC848AE6327
Bestellnr.:
 12S6271
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 BC848AE6327
Gesamtpreis: 0,90 € *
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2500 Stk.
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NPN
100 mA
SMD
-65 °C
150 °C
SOT-23
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